国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaN HEMT器件”的专利，公开号CN121357940A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种具有高频控制与快散热功能的鳍形耗尽型GaNHEMT器件，包括衬底、氮化镓结构和场效应晶体管；所述氮化镓结构包括缓冲层、氮化镓通道层、铝镓氮势垒层、漏极一、源极一、P型氮化镓层和栅极一；所述场效应晶体管包括P缓冲层、源极二、栅极二、漏极二和栅氧化层，所述衬底的左端表面沉积生成有若干鳍状凸起结构，所述氮化镓结构位于鳍状凸起结构上形成鳍形GaN结构；所述场效应晶体管位于衬底的右端表面处，其中所述场效应晶体管上的源极二与栅极一直接连接。本发明通过将GaNHEMT制备于三维鳍形结构之上，显著增大了单位芯片面积内的导电沟道面积，从而实现了极高的电流密度与功率密度。

　　天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目22次，财产线条，此外企业还拥有行政许可2个。

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